矽晶圓
Silicon wafer
2-12吋矽晶圓

矽晶圓是目前製作半導體積體電路的主要材料,一般晶圓產量多為單晶矽圓片。柱狀矽錠是經過精煉後再予以切片,研磨之後就成為厚薄一致、像鏡子一樣的矽晶圓。矽晶圓本身不導電,但只要適當的加入一些離子,就可以使它產生正、負電極,以此來控制電子的流動。半導體有二種類別分別為N型半導體及P型半導體,在N型半導體的狀態下因有過多的電子,這些過多的電子(叫做自由電子),可以使達到電子自由流通目的,另外P型半導體是電子不足的狀態所形成之電孔,為了彌補電孔之不足,會使電子自由移動而產生電流。

規格

銳隆矽晶圓【吋別齊全】2吋/3吋/4吋/5吋/6吋/8吋/12吋

銳隆矽晶圓【規格齊全】P/N/無摻雜/100/111/110/0.0001-20000Ω·cm

銳隆矽晶圓【厚度齊全】50um/100um/200um/300um/400um/525um/725um/1mm/2mm

銳隆矽晶圓【客製化鍍膜】單面雙面氧化自選, 氧化層厚度自選,鍍膜種類厚度自選。

銳隆矽晶圓【客製化切割】尺寸形狀自選1mm*1mm~200*200mm

銳隆晶圓【種類齊全】單雙拋雙氧.單雙拋雙氮化.矽氧片.氮矽片.SOI矽晶/鍍銅鎳金鉑矽片鍍膜/砷化鎵等III-V族和鍺片。

適用產業

積體電路半導體的原料、DRAM、光電二極體、分離式元件、太陽能電池之基板、電子產品的元件、半導體元件、晶片功率半導體、電源管理、MEMS、LCD 驅動 IC、指紋辨識、嵌入式記憶體、CMOS、移動通訊、汽車電子、物聯網、工業電子等領域。

可依需求客製化矽晶圓
吋別 拋光 型號 晶向 電阻率Ω•cm 厚度微米
2 單拋/雙拋 P/N/未摻雜 100/110/111 低阻0-100/高阻5000-20000 400±25
4 單拋/雙拋 P/N/未摻雜 100/110/111 低阻0-100/高阻5000-20000 525±25
6 單拋/雙拋 P/N/未摻雜 100/110/111 低阻0-100/高阻5000-20000 675±25
8 單拋/雙拋 P/N/未摻雜 100/110/111 低阻0-100/高阻5000-20000 725±25
12 單拋/雙拋 P/N/未摻雜 100/110/111 低阻0-100/高阻5000-20000 725±25
客製化晶圓鍍膜

Bare wafer/ Dummy wafer/ coin-roll / Test wafer 2-12 inch晶圓鍍膜,晶圓鍍鉻(Cr)/晶圓鍍鋁(Al)/晶圓鍍鉬(Mo)/晶圓鍍矽(Si)/晶圓鍍銅(Cu) 晶圓鍍鈦(Ti)晶圓玻璃鍍膜服務。測試級晶圓( Test wafer . Dummy wafer)產品級晶圓(prime wafer) 磊晶( epi wafer ) ,加工矽晶片 ( Coating Si + oxide wafer ) ,鍍鋁晶圓Al wafer ,鍍金晶片Au wafer,SOI wafer ,SOC wafer 。

適用產業

積體電路半導體的原料、DRAM、光電二極體、分離式元件、太陽能電池之基板、電子產品的元件、半導體元件、晶片功率半導體、電源管理、MEMS、LCD 驅動 IC、指紋辨識、嵌入式記憶體、CMOS...等。

可依需求客製化晶圓鍍膜(Cr/Mo/Cu/Sn/Ti/Sio2/Si3N4)
2-12吋晶圓包裝盒

晶舟盒/晶圓盒/晶圓傳送盒/晶圓載具是一種密封隔離潔淨容器,主要是承載半導體晶圓片的容器,用於存放晶圓,防止晶圓碰撞、摩擦,降低晶圓汙染的風險,可保護晶圓,避免碰撞高效安全,滿足產品特殊存放及其運輸或出貨要求。每個吋別晶圓盒都可裝矽晶圓/石英/玻璃/藍寶石。

適用產業

晶圓儲存、產業實驗室、學術實驗室、國家實驗室、無塵室、半導體、光電、太陽能電池、電子、面板、太陽能、發光二極體等領域…等。

種類 2吋 4吋 5吋 6吋 8吋 12吋
單片盒
 
   
晶舟盒25片裝
 
晶圓包裝盒 25片裝  
晶圓包裝盒 50片裝  
8吋六邊形單片樣品盒        
 
8吋方形單片樣品盒        
 
12吋方型單片盒          
玻璃晶圓

半導體晶圓玻璃2吋.4吋.6吋.8吋.12吋.Wafer Glass採用客戶指定之玻璃材質,超薄玻璃晶圓,適用於微機電與光電產業。直徑介於50mm到300mm,厚度介於0.2mm到1.8mm,採用高精度CNC及高端雷射設備製作。尺寸公差與 TTV 值都極為優異。

另外可以依照客戶需求進行全面性客製化加工。選定玻璃種類/厚度/尺寸進行加工

玻璃種類:導電玻璃、光學玻璃、無鹼玻璃、石英玻璃、BK7玻璃、BK9玻璃、B270玻璃、Engle2000玻璃、EXG玻璃、D263玻璃等各類的玻璃。

適用產業

應用至半導體產業、晶圓代工、晶圓封裝測試、半導體設備、半導體相關等。

依照客戶需求選定玻璃種類/厚度/尺寸進行製作玻璃晶圓
  2吋 4吋 6吋 8吋 12吋
導電玻璃
光學玻璃
無鹼玻璃
石英玻璃
客戶指定之材質
第三代碳化矽晶圓

第三代半導體,指的是以氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等化合物為材料的半導體產品,有別於第一代半導體是以矽(Si)、鍺(Ge)為材料,還有第二代以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為主的半導體產品。SiC和GaN,這兩種材料的應用領域略有不同,目前GaN元件常用於電壓900V以下之領域;SiC 則是電壓大於1,200 V。第三代半導體在高頻狀態下仍可以維持優異的效能和穩定度,同時擁有速度快、尺寸小、散熱迅速等特性,當晶片面積大幅減少後,有助於簡化周邊電路設計,進而減少模組及冷卻系統。

適用產業

GaN適用於高頻產品,SiC適用於高壓高功率產品,這些產品的終端應用市場,都是未來成長最快的領域,例如電動車、5G通訊及太空衛星等。

4 Inch 4H N-type SIC
Ultra Grade Production Grade Dummy Grade
Diameter 100mm+0.0/-0.5mm
Surface Orientation Off-axis 4.0° toward<1120>±0.5°
Primary Flat Orientation <1100>±5.0°
Primary Flat Length 32.5mm±2.0mm
Secondary Flat Orientation 90.0° CW from Primary Flat±5.0° ,Silicon Face Up
Secondary Flat Length 18.0mm±2.0mm
Wafer Edge Chamfer
Micropipe Density ≦1 micropipes/cm2 ≦5 micropipes/cm2 ≦10 micropipes/cm2
4 Inch 4H SI SIC
Ultra Grade Production Grade Dummy Grade
Diameter 100mm+0.0/-0.5mm
Surface Orientation On-axis <0001>±0.5°
Primary Flat Orientation <1100>±5.0°
Primary Flat Length 32.5mm±2.0mm
Secondary Flat Orientation 90.0° CW from Primary Flat±5.0° ,Silicon Face Up
Secondary Flat Length 18.0mm±2.0mm
Wafer Edge Chamfer
Micropipe Density ≦1 micropipes/cm2 ≦5 micropipes/cm2 ≦20 micropipes/cm2
6 Inch 4H N-type SIC
Ultra Grade Production Grade Dummy Grade
Diameter 150mm±0.25mm
Surface Orientation Off-axis 4.0° toward<1120>±0.5°
Primary Flat Orientation <1100>±5.0°
Primary Flat Length 47.5mm±2.0mm
Wafer Edge Chamfer
Micropipe Density ≦1 micropipes/cm2 ≦5 micropipes/cm2 ≦10 micropipes/cm2
6 Inch 4H SI SIC
Ultra Grade Production Grade Dummy Grade
Diameter 150mm±0.25mm
Surface Orientation [0001]±0.25°
Primary Flat Orientation <1100>±5.0°
Primary Flat Length 1.0mm±0.25mm
Wafer Edge Chamfer
Micropipe Density ≦1 micropipes/cm2 ≦5 micropipes/cm2 ≦35 micropipes/cm2